阴阳极交替的大电流GaN肖特基二极管及其制作方法

作者：陈大正; 张春福; 吴艺聪; 赵胜雷; 张雅超; 朱卫东; 张进成; 郝跃

来源：2019-07-23, 中国, ZL201910664067.8.

本发明公开了一种阴阳极交替的大电流GaN肖特基二极管器件,主要解决现有GaN肖特基二极管器件无法满足更大电流以及更大功率应用需求的问题,其自下而上包括：衬底(1)、高阻Buffer层(2)、AlGaN势垒层(3)、AlN插入层(4)和GaN层(5)；GaN层(5)上设有钝化层(6)和阴极(7),钝化层(6)和阴极(7)上设有介质层(8)；高阻Buffer层、AlGaN势垒层、AlN插入层、GaN层、钝化层和介质层内贯穿有凹槽(9),该凹槽上设有阳极(10),且阴极和阳极采用阳极环与阴极环的同心交替嵌套结构。本发明提高了阳极利用率,增大了电流密度,可用于微波整流、限幅器、功率开关和功率转换电路。

• 单位
  西安电子科技大学