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摘要
CdSe量子棒是一种具有良好光学特性的半导体纳米材料,不同长径比的量子棒可应用于光电材料及器件制备。采用高温油相合成法制备CdSe量子棒,在只改变前体反应时间的前提下,探究其对于CdSe量子棒长径比的变化机理并对其光学特性进行对比分析。实验结果表明CdSe量子棒随着反应时间的增长粒径增大并且发射峰的峰位产生了红移的现象。通过透射电子显微镜表征后发现量子棒随着前体反应时间的增加长度逐渐变长,长径比逐渐变大。因此可以用该方法可以控制量子棒的生长。
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CdSe量子棒是一种具有良好光学特性的半导体纳米材料,不同长径比的量子棒可应用于光电材料及器件制备。采用高温油相合成法制备CdSe量子棒,在只改变前体反应时间的前提下,探究其对于CdSe量子棒长径比的变化机理并对其光学特性进行对比分析。实验结果表明CdSe量子棒随着反应时间的增长粒径增大并且发射峰的峰位产生了红移的现象。通过透射电子显微镜表征后发现量子棒随着前体反应时间的增加长度逐渐变长,长径比逐渐变大。因此可以用该方法可以控制量子棒的生长。
