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摘要
在一定条件SF6气体氛围中,硅可在飞秒激光辐照区产生μm量级的尖峰结构。针对不同尖峰高度的微构造硅,在不同温度下退火,采用电子蒸发的方法在正反面分别镀上铝电极,制备出了飞秒激光微构造光电二极管,并测试了其光电响应。实验结果表明:飞秒激光微构造光电二极管的响应随微构造硅光电二极管的尖峰高度和退火温度的不同而不同。尖峰高度为34μm的样品在973K温度退火30min后,响应度可达0.55A/W。即使在1100nm波长处,这种新型的硅光电二极管的响应仍可高达0.4A/W。
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单位运城学院; 中国计量科学研究院; 应用表面物理国家重点实验室
