本发明公开了一种基于SiC衬底的石墨烯CVD直接外延生长方法,采用半导体SiC作为衬底,通过对SiC衬底进行合理的预处理,调节生长压力,流量以及温度,在SiC上面直接生长石墨烯,无需金属作为催化剂,生长的石墨烯无需转移过程,便可以直接用于制造各种器件,提高了器件的电学特性,可靠性,降低了器件制造的复杂性。可以生长出具有半导体洁净度的大面积石墨烯材料,可用于无需转移的大面积石墨烯材料的生长制备,并为碳化硅-石墨烯器件的制造提供材料。
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