用于铜互连CMP工艺的络合剂研究进展

作者：孙晓琴; 檀柏梅^*; 高宝红; 牛新环; 刘孟瑞; 高鹏程; 刘玉岭

来源：微电子学, 2020, 50(03): 403-409.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.190468

• 铜互连
• 化学机械平坦化
• 络合剂
• 官能团
• 材料去除速率

化学机械平坦化(CMP)是实现65 nm及以下技术节点多层铜互连表面全局平坦化的唯一可靠工艺。络合剂为抛光液的主要组分,对材料去除速率、表面完整性起着至关重要的作用。综合分析了不同官能团的络合剂在铜互连CMP工艺中的应用研究现状,探究了不同官能团络合剂的作用机理,分析了络合剂与其他试剂的兼容性,总结了络合剂的发展趋势。

• 单位
  河北工业大学; 电子信息工程学院