等离子熔积快速直接成形过程宏微观连成数值模拟

作者：王庆; 芮道满; 张海鸥; 王桂兰

来源：机械管理开发, 2012, (01): 1-3+6.

DOI：10.16525/j.cnki.cn14-1134/th.2012.01.024

• 等离子熔积
• 热源功率
• 法
• 晶粒生长

建立了等离子熔积快速直接成形(Plasma Deposition Manufacturing, PDM)过程多相混态场统一模型,基于蒙特卡罗法(Monte Carlo,MC)建立热影响区(Heat Affected Zone,HAZ)晶粒长大过程的数学模型。分析了不同热源功率工艺条件下熔池温度场和流场的变化规律以及特征点的温度循环曲线,进而探究了热源功率对热影响区晶粒尺寸与分布的作用机理。对AISI316合金等离子熔积过程进行了模拟,所得的计算结果与试验结果基本一致。

• 单位
  数字制造装备与技术国家重点实验室; 华中科技大学; 材料成形与模具技术国家重点实验室