ZnO-Bi_2O_3系MLCV内电极扩散现象的研究

作者：成鹏飞; 李盛涛

来源：电子元件与材料, 2005, (08): 43-45.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2005.08.015

• 电子技术
• 叠层片式
• ZnO压敏电阻器
• 扩散
• 电气性能 electronic technology
• MLCV
• ZnO varistor
• diffusion
• electrical property

为了确定Bi系MLCV的最佳烧结温度。借助于SEM直接观察、内电极间不同位置处的能谱分析及高斯扩散公式的拟合,研究了内电极的扩散过程,并测量了内电极扩散对MLCV电气性能的影响。发现烧结温度高于1040℃时,内电极的扩散较显著;Ag和Pd沿晶界扩散的扩散系数相同,约10–11cm2/s。以Ag/Pd为内电极的MLCV的最佳烧结温度为1000℃左右,在该温度下烧结的试样其非线性指数可达28。