ZnO同质p-n结的研究

作者:杨晓杰; 许小亮; 谢家纯; 徐传明; 徐军; 刘洪图
来源:真空科学与技术学报, 2005, 25(z1): 101-104.
DOI:10.3969/j.issn.1672-7126.2005.z1.026

摘要

调节反应气体中O2的比例和RF电源的功率可以增加本征施主V0的形成焓,降低本征受主VZn和Oi的形成焓,制备出p型ZnO薄膜;采用掺杂金属Al制备出低电阻n型ZnO薄膜,在此基础上得到性能可观的ZnO同质p-n结.

  • 单位
    中国科技大学; 中国科学院

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