高功率、高效率808nm半导体激光器阵列

作者：王贞福; 杨国文; 吴建耀; 宋克昌; 李秀山; 宋云菲

来源：Acta Physica Sinica, 2016, 65(16): 113-118.

• 半导体激光器阵列
• 电光转换效率
• 光吸收损耗
• 非对称宽波导结构

通过设计高效率808 nm非对称宽波导外延结构,减少P型波导层和包层的自由载流子光吸收,实现腔内光吸收损耗为0.63 cm-1.制备的808 nm半导体激光器阵列在室温25?C下,实现驱动电流135 A,工作电压1.76 V,连续输出功率大于150 W,斜率效率高达1.25 W/A,中心波长809.3 nm,器件最高电光转换效率为65.5%,这是目前国内报道的808 nm半导体激光器阵列的最高电光转换效率,达到国际同类器件最好水平.

• 单位
  中国科学院西安光学精密机械研究所; 瞬态光学与光子技术国家重点实验室; 西安立芯光电科技有限公司