低温无金欧姆接触GaN基HEMT器件及其制备方法

作者：王洪; 熊年贺; 高升

来源：2021-07-21, 中国, ZL202110825499.X.

本发明公开了一种低温无金欧姆接触GaN基HEMT器件及其制备方法。所述器件包括AlGaN/GaN外延层,AlGaN/GaN外延层上表面的两端刻蚀区域分别连接源电极和漏电极；AlGaN/GaN外延层包括从下往上依次层叠的衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层和AlGaN势垒层。本发明制备的Ti/Al/Ta/W结构的器件的导通电阻(13.6Ω·mm)相较于传统的单独使用Ti做接触层的Ti/Al/W结构的器件(15.1Ω·mm)下降了9.9％,提高了器件的性能。

• 单位
  中山市华南理工大学现代产业技术研究院; 华南理工大学