一种适用于SoC的瞬态增强型线性稳压器

作者：张琪; 胡佳俊; 陈后鹏; 李喜; 王倩; 范茜; 金荣; 宋志棠

来源：微电子学, 2016, 46(02): 211-223.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.2016.02.015

• 瞬态增强
• 线性稳压器
• 片上系统

为满足SoC系统负载快速变化的要求,提出了一种新型摆率增强型片上LDO系统。通过增加有效的内部检测电路,使LDO的功率管栅极电压可以快速地响应输出负载跳变,提高电路响应速度。采用中芯国际40nm CMOS工艺模型,对电路进行仿真。仿真结果表明,当LDO的负载电流以100mA/μs跳变时,电路的最大上冲电压为110mV,下冲电压为230mV,恢复时间分别为1.45μs和1.6μs。同时,在2V电源电压下,电路的静态电流只有42μA。

• 单位
  信息功能材料国家重点实验室; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所