利用内光谱响应测量晶体硅太阳电池前表面复合速度

作者：马逊; 刘祖明; 廖华; 李景天

来源：太阳能学报, 2011, (07): 951-956.

• 晶体硅太阳电池
• 内光谱响应
• 前表面复合速度
• 连续性方程
• 高斯函数
• 余误差函数 crystalline silicon solar sells
• internal quantum efficiency
• front surface recombination velocity
• current density continuity function
• gaussian distribution
• complementary error distribution

根据发射区电流密度的连续性方程,推导出了发射区杂质服从高斯函数和余误差函数分布情况下短波内光谱响应与前表面复合速度的模型,该模型短波波长的选择与扩散结深有关。并利用该模型对不同扩散条件下的晶体硅太阳电池前表面复合速度进行计算,结果与PC1D模拟结果符合较好。

• 单位
  中国农业大学; 云南师范大学