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摘要
针对目前大容量NOR Flash存储器单粒子效应模拟缺乏具体操作方法的问题，本文提出NOR Flash单粒子翻转、单粒子功能中断、单粒子闭锁3种单粒子效应对应软件故障注入方法，设计适用于大容量器件的板级测试系统并进行功能验证，通过故障注入方法开展单粒子效应模拟实验。NOR Flash存储器单粒子效应测试系统包括FPGA控制逻辑、Flash检测板和上位机软件三部分。结果表明，单粒子翻转、单粒子闭锁和单粒子功能中断3种单粒子效应的软件故障注入方法均通过NOR Flash存储器单粒子效应测试系统得到验证。本文的研究可以为相关单粒子效应模拟提供参考，为分析存储器单粒子效应对电子系统的可靠性影响打下基础。
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