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摘要
本文采用微波等离子增强化学气相沉淀技术，在单晶硅衬体上高速沉积一层氮化硅薄膜。通过对比实验，系统研究了沉积压强、气体流量、微波功率、温度等工艺参数对氮化硅薄膜沉积速率、折射率的影响，分析其产生机理。通过优化氮化硅沉积的工艺参数，采用分步沉积氮化硅工艺，测试对比两者内量子效应和光谱反射率，得出分步沉积氮化硅工艺，在200～400 nm短波段，反射率更低，进一步降低了氮化硅薄膜对光的反射率。同时，在1000～1200 nm的长波段，内量子效应增强，表明提升氮化硅薄膜的钝化效果，最终实现晶硅太阳能电池效率提升0.1%,为优化生产工艺奠定了良好基础。
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