反应烧结SiC陶瓷的研究进展

作者：张秀芳; 曹顺华; 邹仕民; 李文超; 谢继峰

来源：粉末冶金工业, 2008, (05): 48-53.

DOI：10.13228/j.boyuan.issn1006-6543.2008.05.013

• 反应烧结SiC
• 烧结机理
• 展望 reaction bonded silicon carbide
• sintering mechanism
• perspective

反应烧结是SiC陶瓷的一种重要制备工艺。本文分析了传统反应烧结工艺制备SiC陶瓷的不足,介绍了一些新型制备工艺;讨论了其烧结机理。并提出一些相关思考及展望。

• 单位
  粉末冶金国家重点实验室; 中南大学