科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
融合了激光和红外的主被动复合探测技术因其高效率、低成本的特点而备受关注，具有良好的发展前景。然而，当前研究在激光探测模式下存在直流电流导致的误检测问题，红外成像模式下存在动态范围较低的问题。因此，提出一种面向激光红外主被动探测的像素电路设计，像元中心距为30μm。引入了直流电流消除反馈回路，提高激光探测灵敏度，并结合脉冲宽度调制技术，实现红外成像动态范围扩展。电路采用CMOS 180 nm工艺进行设计与验证，激光探测模式下，消除直流电流大小高达5.3μA，并且能实现0.5μA的幅值灵敏度和2.3 ns的脉宽灵敏度；红外成像模式下，传统的高增益和低增益工作模式动态范围分别为65.3 dB、69.1 dB，脉冲宽度调制技术可将动态范围扩展60 dB。
- 单位
