C面蓝宝石抛光液组分优化

作者：计健; 梁志强; 周海^*; 蒋网; 任相璞

来源：人工晶体学报, 2021, 50(12): 2354-2361.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.20211101.015

• 抛光液
• 单因素试验
• 正交试验
• 材料去除率
• 化学机械抛光
• 表面活性剂
• 蓝宝石加工

本文利用单因素及正交试验探究磨粒种类、抛光液pH值、表面活性剂种类、磨粒粒径对C面蓝宝石化学机械抛光材料去除率的影响,试验结果表明:采用二氧化硅作为磨粒能得到较高的材料去除率及较好的表面形貌;材料去除率随抛光液pH值的增大呈现先增大再减小的趋势,其中pH值在9附近能得到较好的去除率;材料去除率还随着磨粒粒径的增大而增大;使用三乙醇胺(TEA)、十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)作表面活性剂能得到较高的材料去除率;各试验因素对蓝宝石晶片材料去除率的主次顺序为磨粒粒径、表面活性剂、抛光液pH值;其中当磨粒粒径为50 nm,表面活性剂选CTAB,抛光液pH值为9既能得到较高的材料去除率又能获得较好的表面质量。

• 单位
  北京理工大学; 盐城工学院