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摘要
二维过渡金属硫族化合物(two-dimensional transition metal dichalcogenides,TMDs)具有厚度在原子级别、禁带宽度随层数在1～2 eV内变化、高载流子迁移率(如MoS2载流子迁移率达到了200 cm2·V-1·s-1)等特点，在光学、电学等领域具有广泛应用。TMDs的超薄特性使此类材料与块体材料相比，更容易受到缺陷调控的影响，改变材料原有性能。在本综述中，首先介绍了TMDs的晶体结构和相结构，并根据维度特征对缺陷的类型进行了分类；接着从缺陷的抑制和修复，以及缺陷的制造两方面出发，总结了缺陷调控TMDs材料性能的最新研究进展；在此基础上，介绍了缺陷工程在电学、光学、磁学、电催化等领域的具体应用；最后，本综述讨论了缺陷工程在应用过程中面临的实际问题，并对其未来的研究及发展方向进行了展望。
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