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摘要
本发明公开了一种基于P型掺杂AlScN/AlScN超晶格势垒层的高效发光二极管及制备方法,主要解决现有p型区空穴注入效率低,量子阱当中存在电子泄漏的问题。其自下而上包括：氧化镓衬底层、高温AlN成核层、n型GaN层,n型GaN层的上面设有电极和工作区层,工作区层的上面依次设有电子阻挡层、p型层和电极,该工作区层包含六个周期AlxGa1-xN/AlyGa1-yN的多量子阱层和一个势垒层,且势垒层采用P型掺杂AlmSc1-mN/AlnSc1-nN超晶格结构,以实现与电子阻挡层间的电子耗尽,本发明减少了电子泄漏,降低了空穴注入势垒,提高了量子阱中空穴浓度,可用来制做高效率的紫外和深紫外发光设备。
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