离子注入诱导下制备薄的高弛豫SiGe

作者：许向东; 郭福隆; 周卫; 刘志弘; 张兆健; 李希有; 张伟; 钱佩信

来源：半导体学报, 2006, 27(z1): 140-143.

DOI：10.3969/j.issn.1674-4926.2006.z1.034

• 弛豫SiGe
• UHV/CVD
• 离子注入

通过离子注人硅衬底,在表面引入缺陷,诱导超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)生长的外延SiGe发生驰豫,以制备薄的高弛豫SiGe.利用微区Raman和Tapping AFM技术,对所生长的SiGe材料进行了表征.结果表明,上述方法能够制备厚度为100nm、弛豫度达94%的大面积(直径为125mm)均匀SiGe材料.然而,相同条件下,如果高能离子直接辐照SiGe层,将极大地损坏外延材料的晶体结构,得到多晶SiGe.此外,还通过选择性腐蚀外层SiGe的实验,对相关微观机制进行了研究.

• 单位
  清华大学