磁控溅射法生长的带隙可调谐(GaxIn1-x)2O3(英文)

作者：张法碧^*; 孙巾寓; 李海鸥; 周娟; 王荣; 孙堂友; 傅涛; 肖功利; 李琦; 刘兴鹏; 张秀云; 郭道友; 王相虎; 秦祖军^*

来源：Frontiers of Information Technology & Electronic Engineering, 2021, 22(10): 1370-1379.

• (GaxIn1-x)2O3薄膜
• 带隙可调谐
• 磁控溅射

采用磁控溅射技术和热退火技术在(0001)蓝宝石衬底上制备了多组分氧化物(GaxIn1-x)2O3薄膜,实现可调带隙。详细研究了三元化合物(GaxIn1-x)2O3在整个组成范围内的光学性质和能带结构演化。X射线衍射谱表明,Ga含量在0.11至0.55之间的(GaxIn1-x)2O3薄膜既有立方结构,也有单斜结构,而Ga含量高于0.74的(GaxIn1-x)2O3薄膜只有单斜结构。在可见光范围,所有薄膜透光率均高于86%,吸收边清晰,条纹清晰。此外,随着Ga含量增加,紫外吸收边出现380至250 nm的蓝移,表明禁带能从3.61eV增加至4.64eV。实验结果为透明导电化合物半导体(GaxIn1-x)2O3薄膜在光电和光伏行业的应用,特别是在显示器、发光二极管和太阳能电池的应用奠定了基础。

• 单位
  桂林电子科技大学; 浙江理工大学