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摘要
研究了射频溅射法制备的不同铒含量氧化硅薄膜的光致发光和电致发光性能。实验发现热处理后的薄膜中未形成硅纳米晶而是存在较多的氧相关缺陷，这些氧缺陷的存在对薄膜中Er3+离子的发光起到了敏化作用。在电致发光中，薄膜中注入的电子首先会被氧化硅薄膜中的氧缺陷俘获并复合，而后通过能量传递的方式激发Er3+离子。当铒含量较高时，Er3+离子能同时通过热电子碰撞以及氧缺陷的能量传递两种方式激发获得电致发光。
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单位硅材料国家重点实验室; 浙江大学
