科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
采用Tb4O7作为扩散源对N50磁体进行晶界扩散处理，平行于取向的面扩散后磁体的Hcj增加了8.83 kOe，达到22.74 kOe，垂直于取向的面扩散后磁体的Hcj增加了8.86 kOe，达到22.77 kOe。通过对磁体的不同位置的Hcj进行分析，在距表层500～750μm处获得最大Hcj为26.77kOe。对磁体的Tb,Nd和O元素的分布进行分析，发现在表层有较高的O富集，进一步分析发现磁体中的O含量对磁体的微观结构，磁体性能和热稳定性产生了影响，得出控制磁体的O含量是取得晶界扩散良好效果的关键因素。
- 单位
