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摘要
本文介绍了一种新型的高抗辐照可配置SOI（configurable-SOI, CSOI）器件技术。CSOI器件在制备完成后，可以通过改变配置层电压，实现对总剂量辐照引起的性能退化进行补偿、对单粒子引起寄生晶体管放大进行抑制，从而提升器件的抗辐照性能。基于CSOI工艺，研制出了高抗辐照4kb SRAM验证芯片。辐照实验证实，该芯片的抗总剂量水平达到6 Mrad（Si）、单粒子翻转阈值大于118 （MeV·cm2）/mg,达到国际先进水平，有望应用于深空探测、核应急等极端领域。
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单位中国科学院; 中国科学院大学; 中国科学院微电子研究所
