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Erratum: ※Mechanism of the performance improvement of TiO2-x-based field-effect transistor using SiO2 as gate insulator§ [AIP Advances 1, 032167 (2011)]

作者：Ni Zhong; Hisashi Shima; Hiro Akinaga
来源：AIP Advances, 2011, 1(4): 049902.
DOI：10.1063/1.3660334

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更新时间：2024-01-04 06:11