烧结温度对CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷C波段介电性能的影响

作者：李凡; 朱冬梅; 罗发; 周万城

来源：热加工工艺, 2012, (06): 7-9.

DOI：10.14158/j.cnki.1001-3814.2012.06.002

• 固相反应法
• CaCu3Ti4O12陶瓷
• 介电性能 solid state synthesis methods
• CaCu3Ti4O12 ceramics
• dielectric properties

采用固相反应法制备了CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷,研究了烧结温度对CCTO晶相、微观形貌、致密度以及在C波段(3.95～5.85 GHz)的介电性能的影响。结果表明,在1040℃烧结的试样除了含有CCTO,还存在部分没有反应的TiO2。随着烧结温度的升高,TiO2逐渐消失。与1040℃和1060℃烧结的试样相比,在1080℃烧结的试样晶粒尺寸较大且粒径较均匀,而在1100℃烧结的试样有明显的熔化现象。试样的密度随烧结温度的升高而增加,在1080℃时达到最大值。在1040～1080℃烧结的试样,其介电常数随着烧结温度的升高而增加,而在1100℃烧结的试样的介电常数反而有所降低。不同烧结...

• 单位
  西北工业大学; 材料学院; 凝固技术国家重点实验室