热氧化GaN制备的β-Ga2O3基日盲紫外探测器

作者：孟瑞林; 姬小利; 张勇辉; 张紫辉; 毕文刚; 王军喜; 魏同波

来源：半导体光电, 2019, 40(05): 637-642.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2019.05.007

• 热氧化
• 电化学腐蚀
• β-Ga2O3
• 深紫外探测器
• GaN

利用热氧化法将电化学腐蚀制备的多孔GaN薄膜氧化成三维孔隙状β-Ga2O3薄膜,分析了多孔GaN薄膜与传统GaN薄膜在氧化机理上的区别,并通过材料表征证明了多孔GaN薄膜能够实现更快的氧化速率。随后将氧化生成的β-Ga2O3薄膜制备成MSM型β-Ga2O3基日盲紫外探测器,在260nm光照及10V偏压下,器件的响应度为16.9A/W,外量子效率为8×103%,探测率D*达到了2.03×1014 Jones,能够满足弱光信号的探测需求。此外,器件的瞬态响应具有非常好的稳定性,相应的上升时间为0.75s/4.56s,下降时间为0.37s/3.48s。

• 单位
  中国科学院半导体研究所; 电子信息工程学院; 河北工业大学