我国第三代半导体材料制造设备取得新突破

作者：达夫

来源：中国设备工程, 2018, (04): 3.

<正>【本刊讯】863计划先进制造技术领域"大尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究"课题近日通过了技术验收。通常,国际上把碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体材料称之为第三代半导体材料。其在禁带宽度、击穿场强、电子饱和漂移速度、热导率等综合物理特性上具有更加突出的综合优势,特别在抗高电压、高温等方面性能尤为明显。在国家863计划的支持下,由新疆天科合达蓝光半