摘要
采用直流热阴极等离子体化学气相沉积(直流热阴极 PCVD)方法,通过金刚石膜的间歇生长过程,引入氮原子的作用,实现对非金刚石成份的刻蚀和金刚石膜的择优取向生长,在 CH4:N2:H2气氛下制备透明金刚石膜。金刚石膜的间歇式生长分为沉积阶段和刻蚀两个阶段,沉积阶段为20 min ,刻蚀阶段为1 min ,沉积和刻蚀通过温度的调节来实现,总的生长时间10 h;实验中主要改变的参数是 N2气比例,将N
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单位牡丹江师范学院; 海南师范大学; 电子工程学院