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摘要
针对传统带隙基准电压源温度系数大、电源抑制比低等问题，设计了一种低温漂高电源抑制比的带隙基准电压源。将具有二阶温度项的亚阈值状态NMOS管漏电流转化为电压，以消除输出支路三极管的二阶温度项，实现二阶温度补偿；增加了一个前置的新型预稳压电路，以提高基准源的电源抑制能力。SMIC 180 nm CMOS工艺下的后仿真结果表明，当供电电压为3.3 V时，在-40～140℃,温度系数为3.05×10-6/℃;在低于1 kHz的频率范围内，电源电压抑制比(PSRR)为-105 dB,整体静态电流仅为32μA。
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