本文从SiC材料发光性能表征方法出发，介绍了光致发光、阴极荧光和离子激发发光三种光学测量方法.不同发光表征技术适用研究材料不同的品质特征，光致发光是一种无损检测，阴极荧光对SiC外延层的位错缺陷具有更好的测量效果，离子激发发光可以观测缺陷发光的原位信息.发光变化与材料中的缺陷中心相关，因而光学测量可以很好地反映材料内部特征.通过不同光学测量方法研究SiC材料的发光性能，为更好地拓展SiC发光应用奠定了重要基础.
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