抗辐射高压集成电路技术现状与发展

作者:周锌; 陈浪涛; 乔明; 罗萍; 李肇基; 张波
来源:微电子学与计算机, 2022, 39(10): 1-16.
DOI:10.19304/J.ISSN1000-7180.2022.0434

摘要

高压集成电路是电能转换和控制的核心芯片.在星链计划为代表的新一代航天技术推动下,航天装备朝着小型轻量化、动力电气化快速发展,对抗辐射高压集成电路提出极大需求.相比大规模数字电路,高压集成电路面临高场与辐射协同效应,对性能影响严重且机理复杂.本文总结了高压集成电路辐射效应研究现状,围绕总剂量与单粒子效应,对高压集成器件与模拟集成电路的辐射影响、机理以及加固技术展开了介绍与总结.

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