HMDSO含量对纳秒脉冲激励Ar/HMDSO射流放电特性的影响

作者：李劲卓; 刘峰; 方志^*

来源：电工技术学报, 2021, 36(13): 2675-2696.

DOI：10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.201190

• 等离子体射流
• Ar/HMDSO
• 纳秒脉冲
• 憎水性
• 放电特性
• 表面改性

通过在放电气体中添加含Si媒质可在材料表面引入含Si基团,能有效提高等离子体憎水改性效果,增强材料沿面耐压能力。该文选取六甲基二硅醚(HMDSO)为含Si媒质,采用纳秒脉冲激励在Ar/HMDSO中产生射流放电,通过电压电流波形测量等电气特性,发光图像、发射光谱及ICCD等光学特性诊断,研究了HMDSO含量对放电特性的影响,得到等离子体羽长度、放电功率、传输电荷、主要粒子谱线强度及电离波传播等参量随HMDSO含量的变化趋势,并结合放电电离反应及动态发展过程进行分析。结果表明,少量HMDSO的引入对放电有促进作用,体现在随添加含量的增加,射流体羽长度变长,注入功率和传输电荷量提高、主要粒子谱线强度增强,电离波传播速度和距离提升。这些参量在HMDSO体积分数为0.04%时达到最大值,当HMDSO体积分数大于0.04%时,放电强度开始减弱,表现在相关参量随HMDSO含量的增加而降低。HMDSO参与放电中直接电离反应及与Ar激励态反应,这两种反应的竞争是导致其对放电特性影响存在极值的原因。

• 单位
  南京工业大学