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摘要
为了研究SiC陶瓷在磨削过程中的去除机理和表面质量，设计了SiC陶瓷的平面磨削试验。采用电镀金刚石砂轮完成单因素和正交试验，通过对试验结果进行极差分析，考察了不同磨削参数对表面质量的影响规律，并进一步分析了材料的去除机理。实验结果表明，随着磨削深度ap和进给速度vw的增大，表面粗糙度呈现增大的趋势，材料表面平整度下降，表面质量降低；砂轮转速ns增加时，表面粗糙度减小，缺陷区域减少，表面质量提高；其中磨削深度对表面质量的影响最大，砂轮转速次之，进给速度对表面质量的影响最小；磨削加工过程中SiC材料去除主要为脆性断裂，同时还伴随着塑性变形。
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单位自动化学院; 东北大学
