摘要

  半导体光电功能材料具有重要应用前景,例如,宽禁带半导体可应用于LED和蓝光激光器;InAs/GaSb Ⅱ类超晶格可应用于高性能远红外和太赫兹探测器;半导体的量子点和量子线是摩尔定律以后下一代集成电路的组成单元;单光子发射器将是量子通信的关键光源;单电子晶体管和单电子存储器将大大降低集成电路的功耗;量子比特有可能通过半导体量子点实现,从而实现真正的量子计算;硅基量子点发光有可能实现在硅片上的光电集成和光传输。同时,半导体光电功能材料又培育了新的交叉学科:如等离子体光学、自旋电子学,等等。利用第一性原理大规模计算半导体合金的电子结构和光学性质[1,2]为宽禁带半导体光电功能材料与器件的结构设计提供理论基础。

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