一种大尺寸SiC衬底低应力GaN薄膜及其外延生长方法

作者：李国强; 邢志恒; 吴能滔; 李善杰; 孙佩椰; 姚书南; 王文樑

来源：2020-12-31, 中国, CN202011637782.1.

本发明属于半导体的技术领域,公开了一种大尺寸SiC衬底低应力GaN薄膜及其外延生长方法。所述大尺寸SiC衬底低应力GaN薄膜,自下而上依次包括衬底、AlN成核层、缓冲层、未掺杂GaN薄膜；所述缓冲层为In-xAl-(1-x)N缓冲层或In-xAl-(1-)-xN/In-(0.18)Al-(0.82)N缓冲层。本发明还公开了大尺寸SiC衬底低应力GaN薄膜的外延生长方法。本发明不仅改善了大尺寸SiC衬底与GaN材料晶格失配问题,有效控制外延片应力,对器件整体性能和良品率提升作用明显；利于制备大尺寸碳化硅基氮化镓器件。

• 单位
  华南理工大学