高k栅介质原子分辨率的电镜表征:研究进展和展望(英文)

作者：朱信华; 朱健民; 刘治国; 闵乃本

来源：电子显微学报, 2009, (03): 280-302.

• 高k栅介质材料
• 纳尺度结构和化学表征
• HRTEM
• STEM
• EELS和EDS High-k gate dielectrics
• nanoscale structural and chemical characterization
• EELS
• EDS

随着特征尺寸不断缩小,CMOS器件已步入纳米尺度范围,因此纳米尺度器件的结构表征变得尤为关键。完备的半导体器件结构分析,要求确定原子位置、局部化学元素组成及局域电子结构。高分辨(分析型)透射电镜及其显微分析技术,能够提供衍衬像(振幅衬度像)、高分辨像(相位衬度像)、选区电子衍射和会聚束电子衍射、X射线能谱(EDS)及电子能量损失谱(EELS)等分析手段,已作为半导体器件结构表征的基本工具。配有高角度环形暗场探测器的扫描透射电镜(STEM),因其像的强度近似正比于原子序数(Z)的平方,它可在原子尺度直接确定材料的结构和化学组成。利用Z-衬度像配合高分辨电子能量损失谱技术,可确定新型CMOS堆垛层...