碲铟汞晶体的生长及其电学特性

作者：王领航; 董阳春; 介万奇

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2007, (07): 1069-1071.

• Hg3-3xIn2xTe3
• 晶体生长
• 垂直布里奇曼法
• 光电半导体材料
• 近红外探测器 Hg3-3xIn2xTe3
• crystal growth
• vertical Bridgman method
• photovoltaic semiconductors
• NIR detector

利用垂直Bridgman法成功生长了Hg3-3xIn2xTe3(MIT)(x=0.5)单晶体,并用XRD,RO-XRD及霍尔测量对晶体的结晶质量及电学性能进行了研究.结果表明,所生长的晶体为单相的高质量单晶体;切割晶面为(311)面,位于θ=23.86°,晶面偏离角Φ=2.9°,取向分散度FWHM=0.3°;晶体的导电类型为n型,电阻率为4.79×102Ω.cm,载流子浓度为2.83×1013cm-3,载流子迁移率为4.6×102cm2/(V.s).晶体的费米能级位于禁带中线以上8meV处,载流子浓度的计算值和实验测量值基本符合.

• 单位
  西北工业大学; 凝固技术国家重点实验室