科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
透射电子显微镜因其全面系统的测试条件，成为材料微观领域研究的有效手段。本文利用透射电镜对AlInAsSb数字合金的显微结构进行了系统的研究。通过几何相位分析，发现AlAs插层中的砷原子有沿生长方向扩散的趋势。此外，利用能带结构模拟和电子全息技术揭示了AlAs插层间对电荷分布的影响。这种研究方法显示了透射电镜在半导体材料微观表征方面的优越性，对构建半导体器件的微观结构和宏观性能的联系具有很高的指导价值。
-
单位复旦大学; 之江实验室
