超多晶面六角锥图形化GaAs衬底上纳米柱及制备方法

作者：李国强; 粱敬晗; 高芳亮; 余粤锋; 徐珍珠; 林静

来源：2019-04-17, 中国, CN201910307078.0.

本发明公开了一种超多晶面六角锥图形化GaAs衬底上纳米柱及制备方法,所述超多晶面六角锥图形化GaAs衬底的每个六角锥图形表面具有6～10个高指数晶面,所述纳米柱的直径为10-50nm,其制备方法包括如下步骤：(1)超多晶面六角锥图形化GaAs衬底的制备；(2)超多晶面六角锥图形化GaAs衬底的清洗；(3)分子束外延方法生长GaAs纳米柱。解决了分子束外延在无金属催化剂、无掩膜的GaAs衬底表面难以制备高度有序、高密度的GaAs和InGaAs纳米柱和高性能纳米柱结构太阳电池器件的问题。制备超多晶面图形化GaAs衬底采用的湿法蚀刻设备简单,操作方便；生长纳米柱的MBE工艺简单、过程安全、无污染。

• 单位
  华南理工大学