NiO/SiC异质结的光电特性（英文）

作者：胡丹丹; 刘建达; 郭永刚

来源：微纳电子技术, 2019, 56(03): 200-217.

DOI：10.13250/j.cnki.wndz.2019.03.005

• 氧化镍(NiO)
• 异质结
• 磁控溅射
• 整流特性
• 光响应

NiO是一种天然p型直接带隙半导体材料,首次采用磁控溅射的方法在n型4H-SiC(0001)衬底上淀积NiO薄膜,制作p-NiO/n-4H-SiC异质结。研究了氧气和氩气体积流量对NiO薄膜特性的影响,并研究了NiO/SiC异质结的光电特性。结果表明:所制备的NiO薄膜为多晶结构,当氧气和氩气体积流量均为30 cm3/min时,NiO薄膜出现[200]晶向的择优生长,呈现p型导电,薄膜平整致密,粒径约为15 nm。采用Ni作为金属电极,J-V测试结果表明异质结具有较好的整流特性,开启电压约为1.4 V,在13.5 mW的紫外灯照射下,异质结出现了光响应,开路电压Voc约为30 mV,光电流密度Jph为0.89 mA/cm2。

• 单位
  国家电投集团西安太阳能电力有限公司