阴性症状及认知缺陷症状均是影响精神分裂症功能预后的重要因素,目前缺乏有效干预手段。重复经颅磁刺激(r TMS)是一种非侵入性干预技术,研究揭示r TMS高频刺激前额叶背外侧(DLPFC)对精神分裂症的阴性症状及认知缺陷症状可能具有改善作用,但具体干预模式,如双侧DLPFC是否优于单侧(左侧) DLPFC有待进一步研究。