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摘要
辐射标定因子作为半导体激光器的重要物理参数，在揭示器件性能方面一直扮演着重要角色。本文提出了一种测量辐射标定因子的实验方法，利用这一方法开展了对980 nm InGaAs/GaAs量子阱结构的辐射特性研究。该方法通过收集InGaAs/GaAs边发射结构两侧辐射的光致发光(PL)光谱，利用构建的理论公式，获得了该结构在不同注入载流子浓度下的辐射标定因子，均值波动范围约为7.16×1010～3.36×1011 W-1·eV-1·s-1。最后利用固体模型理论和载流子填充规律对该结果进行了分析，揭示了该结构在不同热平衡状态下的非平衡载流子能带填充水平，以及电子和空穴准费米能级的变化规律。该项研究提出了一种测量辐射标定因子的新方法，在揭示发光材料辐射机制和推动激光器发展方面具有较重要研究价值。
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单位枣庄学院; 南京信息工程大学滨江学院
