InAs/GaAs量子点激光器结温研究

作者：高山; 李世国; 陈朋; 杨海东; 徐承福; 曹春芳; 龚谦

来源：半导体光电, 2010, (06): 866-869.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2010.06.012

• 结温
• 量子点激光器
• 腔模移动
• 气源分子束外延 junction temperature
• quantum dot laser
• mode shift
• GSMBE

对利用气源分子束外延(GSMBE)技术生长的InAs/GaAs量子点激光器的工作结温进行了研究,结温的测试是基于量子点激光器的温度升高会导致Fabry-Perot(F-P)腔的腔模移动。在20℃脉冲工作模式下,当脉冲注入电流的占空比从1%变化到准连续波(95%),InAs/GaAs量子点激光器的结温升高了23.9℃,在相同的测试条件下,商用量子阱激光器的结温仅升高了3.5℃。InAs/GaAs量子点激光器的结温比商用量子阱激光器的结温升高了6.8倍,这是影响激光器性能的一个重要参数。

• 单位
  信息功能材料国家重点实验室; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所