TSV转接板空腔金属化与再布线层一体成型技术

作者：曹睿; 戴风伟^*; 陈立军; 周云燕; 曹立强

来源：半导体技术, 2020, 45(10): 790-795.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.10.009

• 三维异质集成
• 硅通孔(TSV)转接板
• 空腔金属化
• 再布线层(RDL)
• 一体成型

为满足射频微波应用的需求并实现三维异质集成,提出了一种带有大尺寸空腔结构的硅通孔(TSV)转接板,研究了其空腔金属化与表面金属再布线层(RDL)一体成型技术。首先,刻蚀空腔并整面沉积一层2μm厚的SiO2;然后,在不损伤其他部分绝缘层的条件下,通过干法刻蚀完成TSV背面SiO2刻蚀;最后,通过整面电镀实现空腔金属化和RDL一体成型,并通过金属反向刻蚀形成RDL。重点研究了对TSV背面SiO2刻蚀时对空腔拐角的保护方法,以及在形成表面RDL时对空腔侧壁金属层的保护方法。最终获得了带有120μm深空腔的TSV转接板样品,其中空腔侧壁和表面RDL的金属层厚度均为8μm。

• 单位
  中国科学院大学; 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司; 中国科学院微电子研究所; 上海先方半导体有限公司