MAPbBr((3-x))(BF4)x晶体电子结构性质和辐照屏蔽性能研究

作者：孔祥刚; 虞游; 沈艳红; 赵晓冲

来源：成都信息工程大学学报, 2021, 36(05): 580-586.

DOI：10.16836/j.cnki.jcuit.2021.05.018

• MAPbBr((3-x))(BF4)x
• 第一性原理计算
• 衰减系数
• 屏蔽性能
• 掺杂

设计开发具有优异的γ射线和中子综合屏蔽性能的材料,成为研究的热点。在钙钛矿材料富含高原子序数元素Pb的基础上,进行低原子序数元素掺杂改性可制备综合屏蔽γ射线和中子的材料。从实验和理论上综合研究了 BF4-基团对Br-离子进行替位掺杂,即将钙钛矿材料MAPbBr3(CH3NH3PbBr3)进行改性得到MAPbBr((3-x))(BF4)x实现对中子和γ射线的综合屏蔽。热力学计算表明随着掺杂浓度的提高,在高温下稳定性提高。通过缺陷形成能计算表明MAPbBr((3-x))(BF4)x具有更高的抗辐照稳定性。实验测试发现通过掺杂,屏蔽性能提升到53.2%。

• 单位
  中国工程物理研究院; 成都信息工程大学