SiC单晶材料的激光剥离技术研究进展

作者：胡北辰; 张志耀; 张红梅; 牛奔

来源：电子工艺技术, 2022, 43(04): 192-222.

DOI：10.14176/j.issn.1001-3474.2022.04.002

• SiC
• 晶体加工
• 激光垂直改质
• 可控晶体剥离

SiC具备优异的物理特性，可显著提升微波射频、电力电子等器件的性能与能效，但高昂的衬底成本影响了SiC的广泛应用。除了长晶速度慢、良率低外，晶体加工也是其价格居高不下的重要原因。激光剥离技术结合激光垂直改质与可控晶体剥离，可实现低损耗、高效率、高质量的SiC晶体加工。介绍了SiC产业瓶颈、技术难点、激光剥离技术原理，并重点总结了激光剥离技术的研究进展。

• 单位
  中国电子科技集团公司第二研究所