氨化Ga_2O_3/Mg薄膜制备簇状GaN纳米线

作者：孙莉莉; 薛成山; 艾玉杰; 庄惠照; 王福学

来源：固体电子学研究与进展, 2008, (02): 190-192.

• 氮化镓
• 磁控溅射
• 纳米线 GaN
• magnetron sputtering
• nanowire

通过在1050°C时氨化Ga2O3/Mg薄膜制备出簇状GaN纳米线。用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收光谱(FTIR)扫描电子显微镜(SEM)和高分辨电子显微镜(HRTEM)对样品进行测试分析。结果表明,GaN纳米线为六万纤锌矿结构单晶相并且成族生长,直径在200～500nm米左右,其长度可达5～10μm。几乎所有纳米线的直径均有逐渐缩小的趋势。对Mg膜的作用进行了初步的分析。

• 单位
  山东师范大学