摘要

集成电路逻辑技术和存储技术在后摩尔时代已无法单纯依靠平面尺寸微缩来实现更新迭代,立体化(或三维化)已成为重要的发展方向。文章主要从逻辑、存储、三维集成3方面探讨了后摩尔时代产业界关注较多且与当前集成电路产业技术和生态兼容性较高的技术发展趋势,分析了各类技术的优点及挑战,并尝试给出中国研究发展的建议。逻辑技术以器件发展为主线,对从目前量产的主流鳍式场效应晶体管(FinFET)到即将进入量产的围栅纳米器件进行探讨,继而展望了堆叠叉片(Forksheet)晶体管和互补场效应晶体管(CFET)两种器件;存储技术以不同类型的存储器件为主线,覆盖了量产中及即将进入量产的6类存储器;三维集成讨论了三维堆叠、芯粒(Chiplet)、大芯片3种目前较受关注的技术。

  • 单位
    长江存储科技有限责任公司