Si衬底氮化物LED器件的研究进展

作者：李国强; 杨慧

来源：半导体光电, 2012, 33(02): 153-160+183.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2012.02.001

• LED
• Si衬底
• 缓冲层
• 图案掩模技术
• 量子阱 LED
• Si substrates
• buffer layer
• patterned substrate
• MQWs

通过对比分析目前氮化物LED的三种主要衬底即蓝宝石、SiC与Si的技术特点,指出了发展Si衬底LED的重要意义。详细介绍了目前国内外Si衬底LED的研究现状,解析了在Si衬底上制备LED的多种新型技术,主要包括以提高薄膜沉积质量为目的的缓冲层技术、激光脱离技术、图案掩模技术、阳极氧化铝技术,以及以提高光提取率为宗旨的镜面结构技术和量子阱/量子点技术。这些新型技术与传统的MOCVD,HVPE,MBE等制备技术相结合,在很大程度上克服了Si衬底的不足,使Si衬底上氮化物LED展现出广阔的发展前景。

• 单位
  材料科学与工程学院; 华南理工大学; 发光材料与器件国家重点实验室